Akadémiai Kiadó · 1971
Preparation and Properties of MOS and MIS Structures
Supplementary Section
unverified
- Authors
- International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, G. (György) Szigeti, International Union of Pure and Applied Physics, European Physical Society, Magyar Tudományos Akadémia. Műszaki Tudományok Osztálya, Eötvös Loránd Fizikai Társulat, Híradástechnikai Tudományos Egyesület
- Imprint
- Budapest: Akadémiai Kiadó, 1971
- Series
- Proceedings of the International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures: Budapest 1970, 11-17 October, v. 5
- Language
- English
- Sources
- CiNii Books record BA25297118
Cite this
Chicago
International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, G. (György) Szigeti, International Union of Pure and Applied Physics, European Physical Society, Magyar Tudományos Akadémia. Műszaki Tudományok Osztálya, Eötvös Loránd Fizikai Társulat, and Híradástechnikai Tudományos Egyesület. Preparation and Properties of MOS and MIS Structures: Supplementary Section. Budapest: Akadémiai Kiadó, 1971.
MLA
International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, et al. Preparation and Properties of MOS and MIS Structures: Supplementary Section. Akadémiai Kiadó, 1971.
APA
International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Szigeti, G. (., International Union of Pure and Applied Physics, European Physical Society, Osztálya, M. T. A. M. T., Társulat, E. L. F., & Egyesület, H. T. (1971). Preparation and Properties of MOS and MIS Structures: Supplementary Section. Akadémiai Kiadó.